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TSM1NB60LCW-RPG

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Pour Référence Seulement

Référence TSM1NB60LCW-RPG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation
Description 600V, 0.55A, SINGLE N-CHANNEL PO
Fiche technique
paquet -
ECAD
En stock 15 000 piece(s)
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Spécifications TSM1NB60LCW-RPG

FabricantTaiwan Semiconductor Corporation
CatégorieProduits à semiconducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Simples
paquet-
ECAD
Séries-
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Tension de drain à la source (Vdss)600 V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C230mA (Ta), 550mA (Tc)
Voltage du variateur (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds98 pF @ 300 V
Vgs (Max)±30V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)10.4W (Tc)
Rds sur (max) @ id, vgs15Ohm @ 270mA, 10V
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de périphérique fournisseurSOT-223
Paquet / casTO-261-4, TO-261AA

TSM1NB60LCW-RPG Packaging

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Sealing
Packing
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TSM1NB60LCW-RPG FAQ

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